Твердотельные накопители Intel® — надежный поставщик SSD-решений, способный удовлетворить и превзойти вызовы завтрашнего дня.
Если последние исследования рынка и анализ тенденций Cisco в области визуальных сетей претворятся в жизнь, то к 2020 году мы обязательно столкнемся со значительным увеличением объема создаваемых данных. Согласно последнему исследованию Cisco, город-миллионник будет генерировать 200 миллионов гигабайт данных в день к 2020 году. Кроме того, к 2020 году будет создано около 600 ЗБ данных, из которых 10 процентов (60 ЗБ) будут представлять собой полезные данные, которые будут храниться на постоянной основе. Следовательно, потребность в поставщиках решений для хранения данных и памяти, таких как Intel®, которые могут обеспечить надежность накопителей, бескомпромиссную целостность данных и стабильную производительность там, где это важно, в будущем станет еще более важной, чем когда-либо прежде.
Эволюция флэш-памяти NAND
Флэш-память была революционной технологией с момента ее промышленного появления в начале 90-х годов, и инновации продолжаются уже более 25 лет. Вначале это была флэш-память NOR, и Intel® была ключевым игроком. Сегодня самые передовые продукты хранения используют флэш-память NAND. Благодаря своей плотности хранения NAND изменила нашу жизнь. Благодаря постоянному развитию, инвестициям и улучшениям со стороны таких производителей флэш-памяти, как Intel®, технология стала потребительским продуктом, который позволяет производить сверхтонкие ноутбуки и сохранять до 2 ТБ данных на USB-накопителе.
Плотность хранения была дополнительно улучшена за счет введения третьего измерения NAND: многоуровневого хранилища. На практике каждая отдельная физическая ячейка может содержать более одного бита информации. Одноуровневые ячейки (SLC) могут хранить 1 бит на ячейку, многоуровневые ячейки (MLC) могут хранить 2 бита на ячейку, а TLC относится к ячейкам, которые могут хранить 3 цифровых бита. Четырёхуровневые ячейки (QLC) станут реальностью относительно скоро, поскольку Intel® планирует выпустить NAND, способную хранить до 4 бит на ячейку, в третьем квартале 2018 года.
Однако этого было недостаточно для рынка, которому требуются продукты с высокой плотностью хранения. Например, выпуск тонких смартфонов повлек за собой серьезные ограничения в пространстве. Их впечатляющие объемы продаж заставили рынок найти другое измерение хранения (четвертое): штабелирование нескольких кристаллов. Другими словами, несколько кусочков кремния уложены внутри одного физического корпуса, один поверх другого.
В 2013 году было представлено пятое измерение памяти в истории флэш-памяти: 3D NAND. 3D NAND — это несколько слоев (в настоящее время до 48) ячеек памяти, выращенных внутри одного и того же куска кремния. 3D — новая технология не только из-за своей многоуровневой архитектуры, но и потому, что она основана на новом типе ячеек памяти NAND.
Intel®: новатор и лидер на рынке флэш-технологий
С производственной точки зрения существующие флэш-элементы достигли своего максимального потенциала сжатия. Размер флэш-ячейки, который изначально начинался с размера 350 нм в 1997 году, в последние годы превратился в размер ячейки 12 нм. С одной стороны, процесс сжатия позволил производителям производить больше флэш-элементов на одной пластине, что, возможно, привело к снижению цен на флэш-память и позволило производителям производить чипы большей емкости. Однако процесс сжатия также наложил на производителей ряд технических ограничений. С уменьшением размера флэш-ячейки количество электронов становится существенно меньше. Это, в свою очередь, приводит к радикально меньшему количеству электронов, что необходимо компенсировать созданием более сложной прошивки и технологий для обеспечения надежности, долговечности и сохранения данных конечного продукта твердотельного накопителя (SSD). Решение Intel® для устранения ограничений сжатия: наложение ячеек друг на друга!
Intel® Optane™ с технологией 3D-XPoint — прорыв в технологии Flash
Технология 3D-XPoint Flash
Последней инновацией Intel® является технология 3D-XPoint Flash, которая представляет собой прорыв, создающий новый класс памяти, который значительно снижает затраты, производительность и энергопотребление, на которые идут большинство сборщиков систем при разработке решений для хранения данных и памяти. 3D-XPoint — это уникальное сочетание современных материалов с перекрестной структурой, напоминающей трехмерную шахматную доску и не содержащей ни одного транзистора. 3D-XPoint функционирует как система кэширования для вашего основного накопителя, сохраняя необходимые данные аналогично оперативной памяти, но сохраняя данные между перезапусками. Загрузка программ и программного обеспечения происходит так же быстро, как DRAM, и в то же время имеет функцию постоянного сохранения данных, как на SSD и HDD.
По сути, 3D-XPoint предлагает лучшее из обеих технологий: постоянное хранилище (энергонезависимая память) и быстрая рабочая память (энергозависимая память).
