SK hynix начинает массовое производство первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND

Южнокорейский гигант памяти SK hynix объявил о начале массового производства первой в мире трехуровневой флэш-памяти 4D NAND высотой 321 с емкостью 1 ТБ. Согласно пресс-релизу, компания планирует поставлять клиентам продукцию высотой 321 начиная с первой половины следующего года.

Этот новый продукт представляет собой значительное улучшение по сравнению с предыдущим поколением. Согласно пресс-релизу, он обеспечивает увеличение скорости передачи данных на 12% и производительности чтения на 13%, одновременно повышая энергоэффективность чтения данных более чем на 10%. Более того, приняв ту же платформу разработки, которая использовалась для NAND с высотой 238, SK hynix повысила производительность на 59% по сравнению с предыдущим поколением, сводя к минимуму влияние переключения процесса.

Технологический прорыв, лежащий в основе этой инновации, заключается в технологии компании «три вилки». Этот процесс электрически соединяет три вилки посредством оптимизированного последующего процесса после завершения трех процессов вилки. Как отмечается в пресс-релизе, для этого процесса компания разработала материал с низким уровнем напряжения и внедрила технологию, которая автоматически исправляет несоосность заглушек.

Согласно пресс-релизу, этот прорыв позволил SK hynix успешно уложить более 300 слоев, что сделало ее первой компанией в отрасли, достигшей этого рубежа.

SK hynix стремится расширить сферу применения своих продуктов высотой 321, чтобы удовлетворить потребности новых технологий искусственного интеллекта. Как отмечается в пресс-релизе, компания планирует стабильно поставлять эти продукты для зарождающихся приложений искусственного интеллекта, требующих низкого энергопотребления и высокой производительности

Руководитель отдела разработки NAND в SK hynix Юнгдал Чой подчеркнул значимость этого достижения. Согласно пресс-релизу, Чой заявил, что эта разработка приближает SK hynix к тому, чтобы стать лидером на рынке ИИ-хранилищ и достичь своей цели стать полноценным поставщиком памяти для ИИ. Компания стремится достичь этого, создав комплексное портфолио в области сверхвысокопроизводительных NAND, дополняя свой бизнес DRAM, возглавляемый HBM.

SK hynix имеет солидный опыт технологического лидерства на рынке NAND. В пресс-релизе напоминается, что компания первой в отрасли представила самую высокую в мире 238-слойную NAND в июне прошлого года. Теперь, выпустив 4D NAND высотой 321, SK hynix укрепила свои позиции в качестве первого поставщика, производящего NAND с более чем 300 слоями, что стало еще одной важной вехой в отрасли.